国内刊号:11-1864/TB
国际刊号:1000-1158
发布日期:
作者:党思雨, 王光耀, 王雪深, 孙建平, 刘俊茹, 李劲劲, 曾九孙, 蔡晋辉, 陈建
关键词:量子计量,标准测温晶圆,Pt薄膜,磁控溅射,薄膜沉积,退火工艺
基金:中国计量科学研究院基本科研业务费重点领域课题(AKYZD2301?2)
集成电路领域, 从晶圆制造到封装出厂的工艺过程中,温度的精密测量和控制是工艺稳定的关键。中国计量科学研究院正在研制模拟工况的晶圆测温标准装置和装置所需的标准测温晶圆,以解决我国集成电路产业中工艺设备温度的精密测量与校准的关键问题。针对集成电路领域曝光段的测温需求,开展了基于Pt薄膜测温电阻的标准测温晶圆关键技术研究。采用磁控溅射技术制备Ti/Pt薄膜,经退火工艺后,通过曝光、离子束刻蚀、化学气相沉积和去胶工艺,实现Pt薄膜电阻的点位分布,研制了4英寸(100 mm)标准测温晶圆,并在5~35 ℃范围内,进行电学性能评估,误差不超过0.1 K。在25 ℃时,稳定30 min后,标准晶圆电阻与标准NTC热敏电阻随温度变化趋势保持一致。
来源:2025年第10期
《计量学报》期刊编辑部